SI7882DP-T1-E3

Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI7882DP-T1-E3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI7882DP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (422 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SI7882DP-T1-E3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Datenblätte:	SI7882DP-T1-E3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	41534 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI7882DP-T1-E3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus41534 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Vgs (Max)±8V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäusePowerPAK® SO-8
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Verlustleistung (max)1.9W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / GehäusePowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)12V
detaillierte BeschreibungN-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C13A (Ta)
SI7882DP-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]SI7882DP-T1-E3 PDF - EN.pdf

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